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      產(chǎn)品特點(diǎn)：
      
									
      適用于A(yíng)L2 O 3 、AIN材料
      耐高溫、高導熱、氣密性好、高強度、低膨脹系數、優(yōu)良的高頻特性、高可靠性
      高至110GHz 射頻設計、測試能力，可靠性設計
      應用：
       SIP、光通信、MEMS芯片、FPGA封裝、CMOS圖形傳感器封裝、車(chē)載、宇航等高可靠性芯片封裝、毫米波HTCC基板
      
									
								
      
							
      
							
      
								
      
									
      
										
      • 主要參數
      
									
      
									
      
										
      Category
      類(lèi)別
      Item
      項目
      Mark
      標記
      Standard value
      標準設計值
      (mm)
      Public Errand
      公差
      (mm)
      Special values
      特殊設計值
      (mm)
      Public Erran
       公差
      (mm)
      結構長(cháng)度X5-75±1%2-100±0.5%
      寬度Y5-75±1%2-100±0.5%
      瓷體厚度Z0.8-5.5±3%0.2-0.8±0.03
      單層厚度（1）A0.1/0.15/0.2/0.25/0.3±0.02按客戶(hù)定義±0.01
      開(kāi)腔距離瓷體外邊緣距離B≥3*ФC///
      互聯(lián)孔金屬化實(shí)心孔直徑ФC
      		≥0.15
                    
      		±0.015≥0.1
                    
      		±0.01
      孔與孔的中心距D≥3*ФC/≥2*ФC/
      孔至瓷體邊緣距離E≥3*ФC///
      孔帽直徑ФF≥ФC+0.05/≥ФC+0.02/
      金屬化半孔直徑ФG0.4-0.6/0.3-4.0/
      金屬化半孔中心距I≥3*ФG///
      上下層孔錯位距離J/±0.02/±0.015
      金屬化金屬化線(xiàn)寬K≥0.1
                  
      		±0.02≥0.05±0.015
      金屬化線(xiàn)間距L≥0.1±0.02≥0.05±0.015
      金屬化線(xiàn)條至瓷體外邊緣距離M≥0.2/0/
      金屬化線(xiàn)條至瓷體內邊緣距離O≥0.2/0/
      內接地層至瓷體開(kāi)腔邊緣距離P≥0.1/0/
      外接地層至瓷體外邊緣距離R≥0.1/0/
      金屬化柵格線(xiàn)寬S0.2/0/
      柵格線(xiàn)距T0.4/0/
      孔柵間距U≥0.25/≥0.2/
      
										
									
      
								
      
							
							
      
							
      
								
      上一篇：沒(méi)有了
      
								
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